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反向击穿性pn结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将pn结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6v,有负的温度系数,后者击穿电压大于6v,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的pn结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。p4ke、p6ke、1.5ke系列中的数字击穿电压标称值(vbr)。福建插件瞬态抑制二极管选型

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实际产品中,常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us,如何将tvs承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢,这就需要看spec中的另一个曲线图:通过上图可以查出,1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us,对应峰值功率为2200w左右。那么这种情况下,反算脉冲峰值电流为2200w/24.4v=90.16a。如果smbj15a放在电源端口,在共模时,浪涌发生器内阻为12欧姆,那么所能承受的电压为:90.16a12ohm=1082v;如果smbj15a放在电源端口,在差模时,浪涌发生器内阻为2欧姆,那么所能承受的电压为:90.16a2ohm=180.3v;如果smbj15a放在非对称信号端口,无论差模共模,浪涌发生器内阻为42欧姆,那么所能承受的电压为:90.16a42ohm=3786.9v。从上面我们可以看出,一个tvs所能承受的比较大浪涌电压,不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等),也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。湖北sma瞬态抑制二极管测试tvs 的比较大箝位电压vc 应小于被保护电路的损坏电压。

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单向tvs的v-i特性,单向tvs的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的pn结雪崩器件。双向tvs的v-i特性,具有双向对称性,双向tvs的v-i特性曲线如同两只单向tvs“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤v(br)(正)/v(br)(反)≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压vc就会立刻被抑制掉,双向tvs在交流回路应用十分方便。。

tvs的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的pn结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用过tvs的电流,由原来的反向漏电流id上升到ir时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压vwm上升到击穿电压vbr,tvs被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,流过tvs的电流达到峰值脉冲电流ipp。在其两极的电压被箝位到预定的比较大箝位电压以下。尔后,随着脉冲电流按指数衰减,tvs两极的电压也不断下降,恢复到起始状态。这就是tvs抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程。tvs发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是tvs我们极力减少或避免的情况。

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系列名不同的峰值脉冲功率和封装形式①smaj、smbj、smcj、smdj表示贴片封装:分别的峰值脉冲功率为400w、600w、1500w和3000w;②其它系列名表示同轴引线封装:p4ke为400w、p6ke为600w、1.5ke为1500w,sa为500w、3kp为3000w,其余类推(型号名kp或kpa前面的数字表示kw数)。系列名后的数字击穿电压标称值或反向断态电压值①p4ke、p6ke、1.5ke系列中击穿电压标称值(vbr);②其它系列中反向断态电压值(vrwm)。a表示单向,ca表示双向。注意:sac(500w)、lce(1500w)系列是低电容的tvs管,只有单向,没有双向。tvs允许的正向浪涌电流在t =25℃,t=10ms条件下,可达50~200a 。四川600w瞬态抑制二极管电压

tvs 器件可以按极性分为单极性和双极性两种。福建插件瞬态抑制二极管选型

在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。tvs能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间为1ps(10^-12s)。tvs允许的正向浪涌电流在t=25℃,t=10ms条件下,可达50~200a。双向tvs可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向tvs适用于交流电路,单向tvs一般用于直流电路。福建插件瞬态抑制二极管选型

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