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连接件可以连接激光器模组的n面及第二激光器模组的n面，以实现激光器模组与第二激光器模组的并联设置。本申请进一步提出第五实施例的半导体激光器，如图6所示，本实施例半导体激光器601与上述实施例半导体激光器401的区别在于：本实施例的连接件607连接激光器模组608的p面及第二激光器模组609的p面，第二连接件610连接第二激光器模组609的n面及第三激光器模组611的p面。具体地，激光器模组608的巴条602的上表面为半导体n面，巴条602的下表面为半导体p面，第二激光器模组609的第二巴条603的上表面为半导体p面，第二巴条603的下表面为半导体n面，第三激光器模组611第三巴条604的上表面为半导体p面，第三巴条604的下表面为半导体n面，上电极层605及第三下电极层606与负电极引线a连接，下电极层605和与正电极引线b连接。通过上述设置，能够实现三个激光器模组的串并联设置，能够减少激光器的电极引线数量。本申请进一步提出第六实施例的半导体激光器，如图7所示，本实施例半导体激光器701与上述实施例半导体激光器601的区别在于：本实施例的连接件713连接激光器模组714的p面及第二激光器模组715的p面，第二连接件717连接第二激光器模组715的n面及第三激光器模组716的n面。江苏智能半导体激光加工按需定制。安徽节能半导体激光加工直销价

本发明涉及激光技术领域，特别涉及一种半导体激光器。背景技术：半导体激光器所发出的光在垂直于p-n结方向(通称快轴)具有较大发散角和较窄的发光区，快轴发散角通常为30°～60°，厚度通常小于1μm；平行于p-n结方向(通称慢轴)具有较小发散角及较大的发光区，慢轴发散角通常为8°～12°，发光条的宽度通常在100～200μm。如何提高大的发光条宽度的半导体激光器芯片cos发出的光耦合进入直径和na(数值孔径)较小的光纤内的耦合效率，一直是一个难题。技术实现要素：鉴于上述问题，本申请提出了一种半导体激光器，以便解决或者部分解决上述问题。为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：本发明公开一种半导体激光器，该半导体激光器包括：半导体激光器芯片cos、快轴准直透镜、光束整形机构和光纤输入端结构；所述光束整形机构包括：套筒，以及设置在所述套筒内的慢轴准直透镜、自聚焦透镜和限位环；所述光纤输入端结构包括：陶瓷插针和穿设在所述陶瓷插针内的光纤；所述陶瓷插针的一端安装于所述套筒内，所述限位环位于所述陶瓷插针和所述自聚焦透镜中间，实现所述自聚焦透镜和所述光纤的光学定位。上海节能半导体激光加工价钱江苏大型半导体激光加工批发厂家。

所述封装外壳包括底板和管壁；所述半导体激光器芯片cos和所述快轴准直透镜设置在所述底板上；所述圆形通孔开设在所述管壁上。进一步地，所述管壁通过焊接的方式与所述底板连接。综上所述，本发明的有益效果是：本发明公开的半导体激光器通过半导体激光器芯片cos输出光束的光轴与快轴准直透镜的光轴及光束整形机构的光轴在同一条直线上的设置，使其适用于大的发光条宽的半导体激光器芯片cos耦合进芯径较小的光纤内，耦合效率高，可靠性好，操作简单，造价低廉。在本发明的推荐实施例中，本发明通过胶粘的方式实现耦合机构和管壁之间的连接，与传统焊接的方式对比，避免了焊接烟尘和助焊剂的污染，提高了产品的可靠性。附图说明图1为本发明一个实施例提供的一种半导体激光器结构示意图；图2为本发明一个实施例提供的一种半导体激光器光束整形机构和光纤输入端结构的示意图；图3为本发明一个实施例提供的一种半导体激光器的套筒的示意图。图中附图标记含义如下：1、半导体激光器芯片cos，2、底板，3、快轴准直透镜，4、光束整形机构，5、管壁，6、第二法兰，7、光纤输入端结构，41、套筒，42、慢轴准直透镜，43、自聚焦透镜，44、限位环，71、陶瓷插针，72、法兰。

普聚智能系统是一家以镭射应用、方案设计、装备製造为的高技术科技公司，服务行业包括半导体集成电路封装、显示面板、fpc、新能源等。应用涵盖了ic芯片的镭射切割、钻孔、刻线和标记，动力电池部件的切割和焊接，显示面板精密标刻、脆性材料（玻璃/石英/蓝宝石/陶瓷等）微加工工艺。公司掌握先进封装中的镭射加工製程，从工艺开发、测试，到设备规格制定、方案设计和设备建造，直至导入量产，优异的服务已被国际消费电子厂商认可，成为其系统级封装(sip)模组產线的关键供应商。公司代理国内外先进的激光精密加工、无掩板镭射直接成像曝光（ldi）等设备，并提供相关的工艺开发、培训、维保等方面的技术服务。公司荣获2018年吴中区双创、2019年苏州市双创，2019年获批国家高新技术企业。用于在集成电路封装体上钻孔；

半导体激光器301与上述实施例半导体激光器201的区别在于：本实施例半导体激光器301进一步包括第二热沉基板302，第二激光器模组304位于热沉基板308的下表面与第二热沉基板302的上表面之间。具体地，第二激光器模组305的第二下电极层303位于第二激光器模组305的第二巴条304与第二热沉基板302的上表面之间。本实施例通过设置第二热沉基板302，能够增加对第二激光器模组305的散热。本实施例的第二热沉基板302与热沉基板308相同，这里不赘述。当然，在其它实施例中，还可以在激光器模组的上电极层上设置热沉基板。可选地，本实施例的连接件309连接激光器模组310的p面及第二激光器模组305的n面。具体地，本实施例的激光器模组310的巴条306的上表面为半导体n面，巴条306的下表面为半导体p面，第二激光器模组305的第二巴条304的上表面为半导体n面，第二巴条304的下表面为半导体p面，激光器模组310的上电极层307与负电极引线a连接，第二激光器模组305的第二下电极层303与正电极引线b连接。其中，图3中巴条上的椭圆标识表示半导体激光器模组的出光位置，即靠近半导体巴条的p面。在将半导体巴条的n面连接电源负极，将半导体巴条的p面连接电源正极时，半导体巴条工作。江苏工业半导体激光加工供应商家。广东制造半导体激光加工有哪些

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