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氮化铝陶瓷 (aln) 具有高导热性、高耐磨性和耐腐蚀性，是半导体和医疗行业比较理想的材料。典型应用包括：加热器、静电卡盘、基座、夹环、盖板和 mri 设备。

氮化铝陶瓷在半导体和医疗上可表现以下特性：1高导热性与金属铝一样高，比氧化铝 (al2o3) 高 7 倍；2与硅 (si) 的热膨胀系数相似；3高电绝缘性；4在氟基气体气氛下对等离子具有高度耐受性；4高密度和细粒结构；5适用于不同用途的多种材料（高导热型/高纯度型）；6适用于半导体制造设备的尺寸。 鑫鼎精密陶瓷专业加工隔热氮化铝片。潮州高韧氮化铝陶瓷块

氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。氮化铝陶瓷基片具有极高的热导率，无毒、耐腐蚀、耐高温，热化学稳定性好等特点,是大规模集成电路，半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。也是提高高分子材料热导率和力学性能的比较好添加料，氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品，用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。氮化铝是电绝缘体，介电性能良好。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。成都抗氧化氮化铝陶瓷板氮化铝陶瓷零件管的工艺流程。

氮化铝分子式为si3n4,属于共价键结合的化合物，氮化铝陶瓷属多晶材料，晶体结构属六方晶系，一般分为α、β两种晶向，均由[sin4]4-四面体构成，其中β-si3n4对称性较高，摩尔体积较小，在温度上是热力学稳定相，而α-si3n4在动力学上较容易生成，高温（1400℃～1800℃）时，α相会发生相变，成为β型，这种相变是不可逆的，故α相有利于烧结。

外观不同晶相得氮化铝外观是不同的，α-si3n4呈白色或灰白色疏松羊毛状或针状体，β-si3n4则颜色较深，呈致密的颗粒状多面体或短棱柱体，氮化铝晶须是透明或半透明的，氮化铝陶瓷的外观呈灰色、蓝灰到灰黑色，因密度、相比例的不同而异，也有因添加剂呈其他色泽。氮化铝陶瓷表面经抛光后，有金属光泽。

氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷材料，再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路，就是氮化铝陶瓷基板了。

1、氮化铝陶瓷英文：aluminiumnitrideceramic，是以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷。2、ain晶体以（ain4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。3、化学组成ai65.81%，n34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）x10（-6）/℃。5、多晶ain热导率达260w/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。陶瓷电路板具有良好的高频性能和电学性能，且具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良等有机基板不具备的性能，是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。来图定制各种氮化铝陶瓷异形件。

散热基板及电子器件封装散热基板及电子器件封装是氮化铝陶瓷的主要应用。氮化铝陶瓷具有优异的导热性能，热胀系数接近硅，机械强度高，化学稳定性好而且环保无毒，被认为是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，非常适合于混合功率开关的封装以及微波真空管封装壳体材料，同时也是大规模集成电路基片的理想材料。

结构陶瓷晶圆加工用静电吸盘就是常见的结构陶瓷应用。氮化铝结构陶瓷的机械性能好，硬度高，韧性好于al2o3陶瓷，并且耐高温耐腐蚀。利用ain陶瓷耐热耐侵蚀性，可用于制作坩埚、al蒸发皿、半导体静电卡盘等高温耐蚀部件。精密加工机械氮化铝陶瓷零件。常州硬度高隔热氮化铝陶瓷管

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